Новый чип от Samsung обеспечивает высокую пропускную способность для обработки высококачественных потоков графических данных. Чип разработан для приложений, требующих высокой полосы пропускания, предназначен для использования в видеокартах для ПК, а также встроенных графических картах для игровых консолей и ноутбуков. С ростом популярности 3D игр и быстрым распространением UHD видеоконтента сегодня стала увеличиваться потребность в высокопроизводительной видеопамяти – в связи с этим решение от Samsung является особенно актуальным.
«С выпуском нашего нового продукта мы обеспечим OEM-производителей лучшим на сегодняшний день решением видеопамяти для игровых консолей, а также ПК и ноутбуков, – сказал Joo Sun Choi (Джу Сан Чой), исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales and Marketing компании Samsung Electronics, – Расширяя нашу линейку DRAM-памяти класса 20 нм, мы стремимся удовлетворить растущий спрос клиентов и берем на себя инициативу по ускорению роста рынка высокоплотной памяти».
Новый 8-Гб чип GDDR5 DRAM от Samsung обладает выдающейся пропускной способностью. Модуль всего из восьми новых чипов позволяет достичь плотности эквивалентной 8 гигабайтам (ГБ), которая необходима для новейших игровых консолей.
Новое решение обеспечивает скорость операций ввода/вывода 8 Гбит в секунду, что более чем в четыре раза превосходит производительность DDR3 DRAM памяти, которая широко используется в современных ноутбуках, при этом каждый чип может оперировать с 32-битными I/O. 2 ГБ модуль видеопамяти можно создать при помощи всего двух новых чипов, которые в совокупности могут обрабатывать до 64 ГБ графических данных в секунду. Это примерно равно обработке 12 Full-HD DVD (5 ГБ эквивалент) в секунду.
С выпуском новой 8 Гб GDDR5 DRAM видеопамяти компания Samsung пополнила свою линейку 8 Гб DRAM решений на основе собственной технологии производства по передовому 20 нм процессу, которая помимо рынка видеопамяти охватила также рынки памяти для серверов, ПК и мобильных устройств. Samsung как крупнейший в мире производитель решений памяти будет продолжать расширять производство DRAM продуктов 20 нм класса различной плотности (в том числе 4 Гб, 6 Гб, 8 Гб и более высокой плотности) чтобы укрепить свои лидирующие позиции в премиальных сегментах рынка информационных технологий.
Предыдущий материал
Следующий материал
Прежде чем оставить комментарий, залогиньтесь или войдите через аккаунты социальных сетей