Первый 8-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4

Samsung
Cкорости ввода/вывода данных 8-Гбит LPDDR4 - до 3200 мегабит в секунд Фото: Samsung

Samsung запускает решение следующего поколения – ультрабыстрый чип мобильной памяти высокой плотности LPDDR4, открывая дверь в эру 4 Гбайт мобильной DRAM-памяти для качественно нового уровня оперативности мобильных устройств.

Samsung объявила о старте массового производства первых в индустрии 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, произведенных по передовому 20-нанометровому технологическому процессу. Новый высокоэффективный чип мобильной памяти позволит продлить время работы батареи и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением. LPDDR – это наиболее широко распространенный тип оперативной памяти для мобильных устройств, который используется по всему миру.

Новый 20-нм 8-Гбит LPDDR4 чип обеспечивает вдвое большую производительность и плотность по сравнению с 4-Гбит LPDDR3 чипами класса 20-нм. Новый 8-Гбит LPDDR4 чип позволяет создать 4-Гбайт модуль LPDDR4.

Благодаря скорости ввода/вывода данных до 3200 мегабит в секунду, что в два раза быстрее, чем у стандартных DDR3 DRAM, используемых в ПК, новый 8-Гбит чип LPDDR4 может поддерживать запись и воспроизведение видео в формате UHD и непрерывную съемку в высоком разрешении более чем 20 мегапикселей.

Рабочее напряжение нового чипа LPDDR4 было снижено на 1,1В относительно чипов предыдущего поколения LPDDR3, что делает новый чип от Samsung решением мобильной памяти с наименьшим потреблением энергии, доступным для смартфонов и планшетов с большим экраном и высокопроизводительных систем. Например, при использовании 2-Гбайт модуля на основе 8-Гбит LPDDR4 вы можете сэкономить до 40 процентов энергии по сравнению с использованием 2-Гбайт модулем на основе 4-Гбит LPDDR3 за счет более низкого рабочего напряжения и более быстрой обработки.

Применив новую фирменную технологию swing-terminated logic (LVSTL) для передачи сигналов ввода/вывода, Samsung удалось снизить энергопотребление нового чипа LPDDR4 и обеспечить возможность проводить высокочастотные операции при низком напряжении для оптимальной энергоэффективности.

В этом месяце компания Samsung начала выпуск 2-Гбайт LPDDR4 и 3-Гбайт LPDDR4 модулей на основе 8-Гбит и 6-Гбит LPDDR4 соответственно, эти решения уже могут приобрести поставщики процессоров и производители мобильных устройств по всему миру, а в начале 2015 года Samsung начнет производство модулей 4-Гбайт LPDDR4.

ДОБАВИТЬ КОММЕНТАРИЙ 0

Люди также читают:

Оставить комментарий

Прежде чем оставить комментарий, залогиньтесь или войдите через аккаунты социальных сетей

СВЕЖАК

Интересное

Loading...

ТОП Видео

Видео

 

Архив новостей

Социальные сети

ТОП АВТОРОВ

  • Аватар пользователя Виктор Фонгаузен

    Виктор Фонгаузен

    рейтинг : 3,424
  • Аватар пользователя Александр Немов

    Александр Немов

    рейтинг : 3,197
  • Аватар пользователя Филипп Романов

    Филипп Романов

    рейтинг : 3,160
  • Аватар пользователя Яна Полукорд

    Яна Полукорд

    рейтинг : 3,039
  • Аватар пользователя Vovchik230589

    Владимир Тян

    рейтинг : 3,026