На рынке мобильных SoC компания TSMC очень быстро развивается, особенно когда речь идет о внедрении нового производственного процесса. Ожидается, что тайваньский завод уже в следующем году начнет массовое производство 5 нм продуктов. На данный момент известно, что компания работает над двумя линиями - 5 нм FinFET и 3 нм GAAFET. В отличие от традиционной технологии FinFET, GAAFET позволяет материалу ворот окружать канал со всех сторон. Samsung утверждает, что дизайн MBCFET улучшит поведение транзистора и его процесс включения-выключения, что позволит процессорам снизить рабочее напряжение до значений ниже 0,75 В. При этом процесс MBCFET полностью совместим с проектами FinFET и не требует каких-либо новых инструментов для производства.
3-нм MBCFET снизит энергопотребление и площадь кристалла на 30% и 45% соответственно, по сравнению с процессом 7 нм FinFET. Попутно Samsung упомянула и свои новые процессоры, которые будут производиться по 5 и 6 нм техпроцессу, и будут представлены в 2020 году, но без какой-либо конкретики.