Компания Micron Technology выпустила 128-слойную флэш-память 3D NAND 4-го поколения, которая выйдет на массовое производство в 2020 году. 3D NAND 4-го поколения от Micron продолжает использовать конструкцию CMOS, но с технологией Replacement Gate (RG) вместо Floating Gate, которую Micron и IMFlash Technology использовали в течение многих лет. В настоящее время Micron массово производит 96-слойную 3D NAND-память, несмотря на появление QLC (4 бита на ячейку).
Что же касается 128-слойной 3D NAND 4-го поколения, то она будет временным решением, с ограниченным применением. Похоже, что компания больше сосредоточена на разработке 3D NAND 5-го поколения, которая принесет ощутимую прибыль в пересчете на бит.